梦幻国际棋牌官网

主页 > 服务中心 > 医学影像 > 医学影像

基于FPGA的B超数字图像实时采集系统的分析和介绍

  医学超声诊断成像技术大多数采用超声脉冲回波法,即利用探头产生超声波进入人体,由人体组织反射产生的回波经换能器接收后转换为电信号,经过提取、放大、处理,再由数字扫描变换器转换为标准视频信号,最后由9硬件平台的全数字化B超诊断仪中,前端探头返回的回波电信号需由实时采集系统进行波束、相关处理、采集并传输至ARM嵌入式处理系统,视频信号数据量大,实时性要求高,因此选用FPGA+S构成实时采集系统,在速度和容量上都能满足上述要求。主要介绍B超成像系统中应用FPGA进行逻辑控制进行超声视频图像采集的原理和实现。

  如图1所示,采集系统首先由数字波束合成器对多通道超声回波信号进行波束合成,数字波束合成器对不同通道信号进行延时,使同一点的信号同相相加,同时对多个通道的回波信号进行空间域上的加窗,类似匹配滤波,可以提高信号的信噪比。然后对合成后的超声视频信号做一个帧相关的预处理,即图像帧与帧之间对应象素灰度上的平滑处理。因为叠加在图像上的噪声是非相关且具有零均值的随机噪声,如果在相同条件下取若干帧的平均值来代替原图,则可减弱噪声强度。在帧相关过程中,FPGA要控制数据的读取、处理以及存储。在为了满足视频显示的实时性,该采集系统采用双帧存结构的乒乓机制,由FPGA实现读写互锁控制。经帧相关处理完后的视频数据交替写入帧存A和帧存B,帧存读控制器根据后端处理速度读取帧存中的数据,送往DMA控制器,DMA控制器开启DMA通道进行数据传输。FPGA实现读写控制时,为了避免同时对一个帧存进行读写操作,需要设置读写互斥锁进行存储器状态切换。

  对于具有128阵元和32收发通道的超声探头,在进行32路AD转换后,将其分为4组,每组8路接收通道,每组用一片FPGA实现,在该FPGA内首先进行接收延时和动态聚焦再进行加权求和,其后再进行组间的求和产生超声数字视频信号。每一组的系统框图如图2所示:

  对不同通道的回波信号进行不同的延时是达到波束聚焦的关键,延时按精度可分为粗延时和细延时:粗延时用于控制A/D采样的开始时间,精度为32 ns,延时参数由FPGA的片内RAM中读出,更换探头时系统控制器将相应数据写入这些RAM;细延时由采样时钟发生器根据不同的通道产生不同的A/D采样时钟,这些时钟的相位互相错开,其错开的值刚好等于各阵元传播延迟之差。考虑到系统的实时性以及探测过程中深度的变化,需要采用动态聚焦。动态聚焦是在A/D采样开始后,通过读取动态聚焦参数,在采样的过程中控制采样时钟发生器实现。

  8个通道的回波信号经过A/D采样后,送入FPGA,缓冲之后同步读出进入加权模块,加权模块由8个无符号为数字乘法器组成。回波信号分别与加权参数相乘后得到具有动态聚焦和加权特性的数据。8组数据再经过3级加法器就得到波束合成之后的超声数字视频数据。

  帧相关模块如图3所示,由帧相关控制器和一片存储器组成,进行帧相关的存储器采用大小为256 kB的静态存储器(SRAM)。帧相关控制器由FPGA实现,完成地址产生、存储器读写控制、帧相关计算功能,因为实时性的要求,即保证送往后端双帧存的数据不能中断,所以考虑到对逐个象素数据读写的同时就进行相关处理,而且需要在同一个象素时钟周期内完成。读写控制器在1个象素时钟周期的前半段需要读出存储器中的数据和当前帧数据进行相关处理;时钟周期的后半段再将相关处理完的数据写入存储器以备后用,这样送往后端双帧存的数据依然是和象素时钟对应的连续象素数据。

  (1)地址产生。地址的产生由一个象索计数器实现,输入信号为帧同步信号VS和象★-●=•▽素时钟CLK。前端提供的帧同步信号VS为该计数器的复位信号,在每一帧的开始,计数器清零,然后根据象素时钟CLK计数生成地址,每个象素时钟周期内地址不变,依据此地址进行存储器的读写。

  (2)读取已有数据及相关处理。在一个象素时钟周期的前半段,也就是CLK跳变为高电平时,读写控制器输出的读信号OEl为有效,读出前帧中一个象素的数据,送到FPGA内部实现的加法器的A口,与同时到达B口的当前帧的对应象素数据相加平均。

  (3)数据保存及传输。在同一个象素时钟周期的后半段,也就是CLK跳变为低电平时,读写控制器输出的写信号WEl为有效,相关处理完的数据写回原来的地址,同时该数据也送往帧存写控制模块。

  超声视频图像需要实时地采集并在处理后在显示器上重建,图像存储器就必须不断地写入数据,同时又要不断地从存储器读出数据送往后端处理和显示。另外,为了满足这种要求,可以在采集系统中设置2片容量一样的帧存,通过乒乓读写机制来管理,结构如图3所示。为了确保任何时刻,只能有1片帧存处于写状态,设置1个写互斥锁;同时,只能有1片帧存处于读状态,设置一个读互斥锁。在系统初始时,1片帧存为等待写状态,另1片为等待读状态;开始工作后,2片都处于读写状态轮流转换的过程,转换的过程相同,但是2片状态相错开,这样就能够保证数据能连续地写入和读出帧存。该机制如图4所示,工作流程为:

  (1)采集过程未开始,帧存A为等待写状态,获得写互斥锁;帧存B为等待读状态,获得读互斥锁;

  (2)帧存写控制器收到一帧开始信号,判断为采集开始,设置帧存A写信号WE2 A有效,帧存A开始写入当前帧数据;同时帧存读控制器设置帧存B读信号OE2_B有效,帧存B则开始读出所存数据;

  (3)一帧结束,帧存A写结束,释放写互斥锁;帧存B读结束,释放读读斥锁;

  (5)另一帧开始,写控制器设置帧存B写信号WE2B有效,帧存B开始写入数据;读控制器设置帧存A读信号OE2 A有效,帧存A则开始读出数据。

  对整个B超诊断仪来说,系统要完成视频图像数据的实时采集和指定的处理,高性能ARM处理器的处理能力可达每秒数百万条指令,因此数据的传输设计是提高系统速度的关键环节。ARM处理系统与外部的数据传输可以通过CPU访问外部存储器的方法实现,但是效率低下,不能满足系统实时性的要求,而DMA数据传输以不占用CPU时间和单周期吞吐率进行数据传输的优点在实时视频图像采集系统中得到广泛的应用。但是因为DMA的传输速率和前端视频图像数据的输入速率不匹配,很难发挥出DMA数据传输的优势。由可编程的FPGA控制SRAM组成的双帧存可以很好地解决这个问题;此外,FPGA内部嵌入了一定数量的RAM,可以经过配置成缓冲存储器,通过灵活的逻辑结构可以方便地实现对输入输出数据流的控制,成为连接ARM处理系统和SRAM的纽带和桥梁。

  在B超数字视频图像实时采集系统中采用FPGA作为采集控制部分,首先可以提高系统处理的速度及系统的灵活性和适应性:由于在FPGA和ARM处理系统之间采用SRAM做数据缓冲,并用DMA方式进行传输,大大提高系统的性能;由于采用FPGA可编程逻辑器件,对于不同的超声视频◆■信号,只要在FPGA内对控制逻辑稍做修改,便可实现信号采集;FPGA的外围硬件电路简单,因而在硬件设计中,可以大大减小硬件设计的复杂程度。而FPGA的时序逻辑调试可在软件上仿真实现,因而降低硬件调试难度。

  我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计算机体系结构》课程 分成4篇:分别是

  随机存取存储器,通常缩写为“RAM”或简称为“存储器”,是任何计算机中最重要的部分之一。

  将超声波传感器连接到Jetpack并将其安装在arduino上,如图所示。连接电源。

  Flash存储器是一种非易失性存储器,根据结构的不同可以将其分为NOR Flash和NAND Fla....

  自20世纪70 年代初研制成微处理器,出现4位和8位总线,传统示波器的双通道输入无法满足8位字节的观....

  单片机简介可以说,二十世纪跨越了三个“电”的时代,即电气时代、电子时代和现已进入的电脑时代。不过,这....

  很多初学51单片机的网友会有这样的问题:AT89S51是什么?书上和网络教程上可都是8051,89C....

  电子计数器是一种基础测量仪器,到目前为止已有30多年的发展史。早期,设计师们追求的目标主要是扩展测量....

  9月26日,韩国首尔,英特尔在 Memory&Storage Day 2019活动上公布了SSD产品....

  这些应用之一是能够在各类照明条件和传感器放置中检测车内人员乘坐情况,而不管其是否移动。这可帮助汽车系....

  在产品流水线上,本例电路可实现对经过流水线的产品自动计数,计数值用数码管显示出来。

  存储设备是一台电脑必不可缺的重要组成部分,比如说我们所熟知的硬盘、内存、显存、缓存等,那大家知道在这....

  ★▽…◇据IDC预测,全球数据圈将从2018年的32ZB增至2025年的175ZB,增幅超过5倍。万物互联时....

  大家好。 我必须解码一个基于NEC协议的IR信号作为我的学术项目的一部分。我使用PSoC3。 请告诉我测量脉冲宽...

  船形开关在家用电器上得到了广泛的应用。比如生活中的饮水机、跑步机、电脑音箱、电瓶车、摩托车、离子电视....

  MPASMWIN v5.64 MPLAB XIDEv3.15中dt指令的限制

  你好,我正在试着把一大串值表写进程序存储器,我用PIC16F1824有一个非常奇怪的行为。我用“dt值,值,值”语句,...

  ALE/PROG地址锁存控制信号:在系统扩展时,ALE用于控制把P0口的输出低8位地址送锁存器锁存起....

  小米生态链企业创米科技是一家智能家居产品研发商,研发了一款米家小白智能摄像机,具有一键通话、语音互动....

  磁盘是依靠由一个个同心圆组成的磁道上的具有不同磁化方向的磁化元来存储0、1信息的。对这些磁化元的读写是通过一个磁...

  三星电子有限公司(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开....

  全球第一大非内存半导体生产商英特尔公司在首尔展示了其在内存半导体领域的先进技术,向三星电子和全球内存....

  然而最新的物联网时代给予了PSRAM的新的生命体,特别是在语音交互领域,PSRAM以它较小的封装,大....

  您好,我正在尝试创建一个精确的毫秒秒表,它记录外部触发器的时序。我希望能够记录长达数小时的样品,但准确地将秒表...

  我对PSoC 5LP的定时器3(16位UDB)有问题。 在身份登记的比较点的功能是什么? 数据表中说它的粘性,所以它...

  计数器在计数输入和方向以及UpCnt和DwnCnt配置的时钟方面存在问题

  当在上述模式中使用计数器时,在达到最大周期后不进行复位。但是它在零之后重置。...

  首先来了解 ARM 体系结构中的字长。 字(Word),在 ARM 体系结构中,字的长度为 32 位,而在 8 位/16 位处...

  目前,汽车中使用的复杂电子系统越来越多,而汽车系统的任何故障都会置乘客于险境,这就要求设计出具有“高度可靠性”...

  图书馆的日常服务涉及到人流、物流的管理, 需要进行大量的读者和书刊的识别、访问控制、统计等工作。目前, 图书馆基...

  为了应对QLC和SMR这两种高容量存储盘面临的写入限制挑战,不能停留在介质本身,而是要看整个数据的基....

  虽然固态硬盘已经推行了很多年,但小咖知道有很多朋友的笔记本电脑依然用的是机械硬盘,平时用起来会卡,特....

  20世纪30年代中期,美国科学家有“计算机之父”之称的冯·诺依曼提出,采用二进制作为计算机的数制基础....

  本文主要介绍了电子计数器的使用及电子计数器功能。当给该仪器通电后,应预热一定的时间,晶振频率的稳定度....

  西部数据公司(NASDAQ: WDC)今日宣布推出一系列新产品,旨在满足用户对于高耐久度存储解决方案....

  NAND Flash的价格行情接下来将如何?今年6月份,东芝工厂断电,我预估NAND价格会涨,没人相....

  发表于《自然》杂志上的一项最新突破性研究显示:一个比特位的数字信息现在可以成功地存储于单个原子上。

  随着5G、AI、IoT、自动驾驶等技术的崛起,无数随时产生着海量数据,对于存储和处理都提出了极高的需....

  说起存储器,现在市场基本被日美韩垄断,尤其是三星。尤其是现在存储器价格一直处于价格上涨,而且预计还会....

  电子发烧友网原创文章,文/黄晶晶 根据摩根斯坦利发布的报告,今年第二季度时,NOR Flash的库存....

  受到存储器价格震荡下跌的影响,国际存储器主要制造商相继采取削减资本支出或降低产量等应对措施。

  尽管固态硬盘在性能、抗震性以及故障率上均优于机械硬盘,但受限于成本及容量,当下部分服务器上所使用的硬....

  IMEC高级研究员Shairfe M.Salahuddin解释说,,SRAM由6个晶体管组成,控制读....

  应用材料公司金属沉积产品全球产品经理周春明博士认为:“通过传统二维的摩尔定律,缩减晶体管尺寸是做不下....

  代码存储器,又称程序存储器或只读存储器(rom),是存储程序指令的地方。

  业内研究人员表示,中国目前有三家厂商正在建设的闪存与存储器工厂,旨在确保自身能够在NAND与DRAM....

  要注意的是,一般不使用内置SRAM启动(BOOT1=1 BOOT0=1),因为SRAM掉电后数据就丢....

  浙江大学信息与电子工程学院赵毅教授课题组研发出一种低成本、低功耗的新型存储器。这项基于可工业化生产的....

  磁性材料,是硬盘存储器等现代数字信息技术的重要基础。之前,笔者曾经介绍过许多有关磁性材料的创新成果。

  由于NAS系统成本低廉、配置方便,所以其普及率也逐步提高。但对于很多用户来说,NAS还没有普及到生活....

  如今,大多数通信网络中的高速数据传输采用的仍然是光的短脉冲。超宽带技术使用的是光纤链路,信息能够以光....

  同样是存储器芯片,DRAM产品的价格在持续下行,市场一片冰天雪地;而NOR Flash产品则在需求持....

  1 工作方式0 定时器/计数器T0工作在方式0时,16位计数器只用了13位,即TH0的高8位和....

  2019年全球半导体市况表现不佳,增速大幅下滑,成为当前业界最为关注的话题之一。而本轮下行周期的成因....

  相变存储器具有很多优点,比如可嵌入功能强、优异的可反复擦写特性、稳定性好以及和CMOS工艺兼容等。

  我们使用计算机时,只要输▪…□▷▷•入文字,计算机就会做出相应的反应,那么计算机是如何学会识字的呢?其实,计算机....

  上电后R_S触发器的R端为低电平。S端为高电平,R—s触发器处于“O”状态,IC1③和圈11脚都为低....

  1967年 IBM公司推出世界上第一张“软盘”,直径32英寸。随着技术的发展,软盘的尺寸一直在减小,....

  随着5G时代的逐渐逼近,物联网的快速发展促进着存储器需求的持续增长。数据表明,中国消耗全球20%的D....

  在信息大爆炸的时代,我们每天都要产生和面临大量的数据信息。现有的存储器在尺寸、性能、功耗、成本等方面....

  发展国产存储器芯片是中国科技发展的重要一环,芯片在现代生活中的作用真是太重要了。手机、电脑、空调、电....

  三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在....

  全球半导体市场迎来复苏。据WSTS统计,全球半导体市场规模2000-2009年CAGR为5.87%,....

  存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,....

  如今,随着移动互联网、云计算、智能终端等技术飞速发展,人类使用的数据量正以前所未有的速度爆炸式地急剧....

  人或多或少总会带有一些静电,如果不加注意,很有可能致电脑硬件的损坏。如果用户需要插拨电脑的中的部件时....

  日韩作为存储芯片的主要玩家,其产品几乎垄断了全球主流的市场。近年来,国内对存储芯片的重视,也诞生了诸....

  物理学家开发了一种“量子秒表” - 一种在量子记忆中存储时间(以量子时钟状态的形式)的方法。在这样做....

  在这个信息时代,数据无疑是重中之重的,不仅获取数据的性能十分重要,用来存储数据的存储器也被人们渐渐的....

  MRAM)在新兴非挥发存储器中发展较为成熟,2018年主要供应商Everspin营收可望年增36%,....

  2是基于微控制器系统的完整存储器和监控解决方案。 EEPROM串行2-Kb CPU Supervisor存储器和具有欠压保护的系统电源监控器以低功耗CMOS技术集成在一起。存储器接口通过400kHzI²C总线具有 RESET 输出,没有写保护输入。 如果软件或硬件故障停止或“挂起”系统,主管有一个1.6秒的看门狗定时器电路,可将系统重置为已知状态。看门狗定时器监视SDA信号。电源监视器和复位电路在上电/掉电和掉电条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果电源电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在电源电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外, RESET 引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动复位功能的输入。片上,2 k位EEPROM存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V CC 检测电路提供,当V CC 低于复位阈值或直到V CC时,该电路可防止写入存储器在上电期间达到复位阈值。可用封装包括8引脚DIP,8引脚SOIC,8引脚TS...

  3是基于微控制器系统的完整存储器和监控解决方案。 EEPROM串行2-Kb CPU监控器和具有欠压▼▼▽●▽●保护的系统电源监控器以低功耗CMOS技术集成在一起。存储器接口通过400kHzI²C总线提供精确的V CC 检测电路和两个开漏输出:一个(RESET)驱动为高电平,另一个( RESET )驱动为低电平。如果WP连接▼▲到逻辑高电平,则禁止写操作。监控器具有1.6秒的看门狗定时器电路,如果软件或硬件故障停止或“挂起”系统,则会将系统重置为已知状态。 CAT1023具有独立的看门狗定时器中断输入引脚WDI​​。电源监控和复位电路在上电/断电和欠压条件▽•●◆下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果电源电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在电源电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外, RESET 引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动复位功能的输入。片上,2k位EEPROM存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V CC 检测电路提供,当V C...

  4是一款完整的存储器和监控解决方案,适用于基于微控制器的系统。 EEPROM串行2-Kb CPU监控器和具有欠压保护的系统电源监控器以低•□▼◁▼功耗CMOS技术集成在一起。存储器接口通过400kHzI²C总线提供精确的V CC 检测电路,但只有 RESET 输出,没有写保护输入。电源监控和复位电路在上电/断电和欠压条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果电源电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在电源电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外, RESET 引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动复位功能的输入。 CAT1024存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V CC 检测电路提供,当V CC 低于复位阈值或直到V CC时,该电路可防止写入存储器在上电期间达到复位阈值。可用封装包括8引脚DIP,8引脚SOIC,8引脚TSSOP,8引脚TDFN和8引脚MSOP。 TDFN封装厚度最大为0.8 mm。 TDFN足迹为3 x 3 mm。 特性 ...

  �一个EEPROM串行2-Mb SPI低功耗器件,内部组织为256Kx8位。它具有256字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选(CS)输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD输入可用于暂停与EA2M设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 OnChip ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 EA2M设备专为超低功耗而设计,适用于实时数据记录应用,助听器和其他医疗设备以及电池供电的应用。 特性 5 MHz SPI兼容 电源电压范围:1.6 V至3.6 V SPI模式(0.0)& (1.1) 256字节页面写入缓冲区 具有永久写保护的附加标识页 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000程序/擦除周期 100年数据保留 WLCSP 8球封装和模具销售 这些设备是无铅,卤素Free / BFR Free且符合RoHS标准 应用 终端产品 医疗 助听器 电路图、引脚图...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个64 k串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为8 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N64S830HA器件包含一个HOLD引脚,允许暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 2.7至3.6 V电源范围 待机电流非常低 - 低至1 uA 极低的工作电流 - 低至3 mA 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 8 K x 8位组织 简单的内存控制:单片选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO) 自定时写入周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通信的HOLD引脚 高可靠性 - 无限制写周期 符合RoHS标准的封装 - 绿色SOIC和TSSOP 电路图、引脚图和封装图...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个64 k串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为8 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N64S818HA器件包含一个HOLD引脚,允许暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 1.7至1.95 V电源范围 待机电流极低 - 低至200 nA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 8 K x 8位组织 自定时写周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通讯的HOLD引脚 高可靠性 - 无限制写周期 符合RoHS标准的封装 - 绿色SOIC和TSSOP 电路图、引脚图和封装图...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个256 kb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S830HA器件包含一个HOLD引脚,可以暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 2.7至3.6 V电源范围 待机电流非常低 - 典型Isb低至1 uA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 32 K x 8位组织 自定时写周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通讯的HOLD引脚 电路图、引脚图和封装图...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个256 kb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S818HA器件包含一个HOLD引脚,可以暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 1.7至1.95 V电源范围 待机电流非常低 - 典型的Isb低至200 nA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 32 K x 8位组织 自定时写入周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通信的HOLD引脚 电路图、引脚图和封装图...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个1Mb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为128 K字节8位。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在Q◇…=▲UAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 N01S830xA设备有两种不同的变体,一种是允许与设备暂停通信的HOLD版本,另一种是与电池一起使用的备用电池(BBU)版本,用于在电源丢失时保留数据。 特性 电源范围: 2.5至5.5 V 极低的典型待机电流:...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括1Mb串行访问的StaticRandom存储器,内部组织为128 K字乘以8 bi t s。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUA▲=○▼L模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在QUAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 特性 电源范围: 1.7至2.2 V 极低的典型待机电流:...

  RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40至+ 85°C 接口:双线 C总线kHz 低功耗:待机: 2μA( max)有效(读取):0.5mA(最大值) 自动页面写入模式:16字节 阅读模式:顺序阅读和随机阅读 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...

  信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

  信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导◆▼体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控◆●△▼●制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧◇•■★▼凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时◆◁•设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制▲★-●器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是•☆■▲时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输▪▲□◁出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

梦幻国际棋牌官网

友情链接